【国家标准】低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

本网站发布时间： 2018-07-02

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标准简介

本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于测试位错密度小于1 000个/cm2、直径为75 mm~150 mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。

标准号：
GB/T 34481-2017
标准名称：
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
英文名称：
Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
标准状态：
现行
发布日期：
2017-10-14
实施日期：
2018-07-01
出版语种：
中文简体

起草人：
惠峰、普世坤、董汝昆
起草单位：
云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

【国家标准】 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法