半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验-Semiconductor devices - Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers-中国标准在线服务网

介绍	国家标准计划《半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。拟实施日期：发布后3个月正式实施
项目进度	起草征求意见审查批准发布
基础信息	计划号：20213174-T-339
	制修订：制定
	项目周期： 18个月
	下达日期：2021-08-24
	标准类型：方法
	中国标准分类号：31.080.01
	国际标准分类号：L55
	组织起草部门：国家标准化管理委员会
	技术委员会：全国半导体器件标准化技术委员会
起草单位	工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、广东科信电子有限公司、中国电子科技集团公司第二十四研究所、广东汇芯半导体有限公司、上海交通大学、青岛芯瑞智能控制有限公司、电子科技大学
采标情况	本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62374-1:2010
采标情况	采标中文名称:半导体器件第1部分: 内部金属层间的时间相关（电）介质击穿（TDDB）试验