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DB35/T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法 现行 发布日期 :  2013-12-04 实施日期 :  2014-03-01

本标准规定了发光二极管芯片(以下简称芯片)的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。

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DB35/T 1193-2011 半导体发光二极管芯片 现行 发布日期 :  2011-10-28 实施日期 :  2012-02-15

本标准规定了半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、包装、贮存和运输。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光半导体发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行

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