本文件描述了用非接触式涡流感应法测试太阳能电池用单晶硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的方法。本文件适用于非平衡载流子复合寿命在0.1 μs～10 000 μs、电阻率在0.1 Ω·cm～10 000 Ω·cm的硅锭、硅块和硅片的测试。其中瞬态光电导衰减法适用于非平衡载流子复合寿命小于100 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，准稳态光电导法适用于非平衡载流子复合寿命大于200 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，非平衡载流子复合寿命在100 μs～200 μs时，两种测试方法均适用。

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本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试方法。本标准适用于硅锭和经过抛光处理的n型或p型硅片(当硅片厚度大于1 mm时，通常称为硅块)载流子复合寿命的测试。在电导率检测系统灵敏度足够的条件下，本标准也可用于测试切割或经过研磨、腐蚀的硅片的载流子复合寿命。通常，被测样品的室温电阻率下限在0.05 Ω·cm~10 Ω·cm之间，由检测系统灵敏度的极限确定。载流子复合寿命的测试范围为大于0.1 μs，可测的最短寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于样品的几何条件及其表面的钝化程度。

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本文件描述了测量经化学机械抛光或外延生长的硅片上表面元素污染的原子表面密度的TXRF方法。
本文件适用于以下情形：
——原子序数从16（S）到92（U）的元素；
——原子表面密度介于1×1010 atoms/cm2~1×1014 atoms/cm2之间的污染元素；
——采用VPD（气相分解）样品制备方法得到的原子表面密度介于5×108 atoms/cm2~5×1012 atoms/cm2之间的污染元素（见3.4）。

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本标准规定了硅片工作标准样品表面元素铁和/或镍的化学收集方法（气相分解法或直接酸性液滴分解法）和全反射X射线荧光光谱法（TXRF）测定。

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本标准规定了硅片边缘轮廓（包含切口)的检验方法。
本标准适用于检验倒角硅片的边缘轮廓（包含切口)，砷化镓等其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行。

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本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片。

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本标准规定了硅片翘曲度的非破坏性、自动非接触扫描测试方法。本标准适用于直径不小于50 mm，厚度不小于100 μm的洁净、干燥的切割、研磨、腐蚀、抛光、刻蚀、外延或其他表面状态硅片的翘曲度测试。本方法可用于监控因热效应和（或）机械效应引起的硅片翘曲，也可用于砷化镓、蓝宝石等其他半导体晶片的翘曲度测试。

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1.1　本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法，本方法使用单色X光源全反射X光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。1.2　本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片，尤其适用于清洗后硅片自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。

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