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GB/T 19502-2023 表面化学分析 辉光放电发射光谱方法通则 即将实施 发布日期 :  2023-12-28 实施日期 :  2024-07-01

本文件提供了采用辉光放电发射光谱法(Glow discharge optical emission spectrometry,以下简称GDOES,)进行深度剖析和体相分析的指南。本文件仅限于讨论刚性固体样品的分析,不包括粉末、气体或溶液的分析。结合现有和将来特定的标准方法,本文件旨在能够实现仪器的规范管理和测量条件的控制。尽管近年来有不同类型的辉光放电发射光源问世,但目前绝大多数使用直流和射频光源的辉光放电光谱设备仍以空心阳极的Grimm型为主。然而不同于最初Grimm型光源阴极接触样品正面的设计,一些光源的阴极接触常置于样品背面,例如Marcus型光源。本文件包含的条款同样适用于上述 2种和其他类型的光源,Grimm型光源仅作为一个实例。

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本文件描述了钯锭中银、铝、金、铋、铬、铜、铁、铱、镁、锰、镍、铅、铂、铑、钌、硅、锡、锌含量的火花放电原子发射光谱分析方法。本文件适用于钯含量为99.90%~99.99%的钯锭的杂质元素含量测定。各元素测定范围见表1。

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GB/T 43332-2023 电动汽车传导充放电安全要求 现行 发布日期 :  2023-11-27 实施日期 :  2023-11-27

本文件规定了电动汽车(以下简称“车辆”)传导连接至外部电源或外部负载进行传导充放电的安全要求。
本文件适用于车辆插座(连接方式B和连接方式C)符合GB/T 20234.2和/或GB/T 20234.3,以及供电插头(连接方式A)符合GB/T 1002和/或GB/T 20234.2的车辆。
本文件适用于车辆供电回路为B级电压的可外接充放电的车辆。车辆供电回路为A级电压的车辆参照执行。
本文件适用于GB/T 18487.1—2023定义的充电模式2、充电模式3和充电模式4。对于充电模式4,本文件适用于与隔离式非车载充电机的传导充电。
注1: 本文件没有给出充电模式1的要求。
注2: 外部电源不属于车辆。
本文件适用于车辆供电回路的车载部分,也适用于车辆传导连接至外部电源或外部负载的充放电控制功能。
本文件不适用于制造、维护和修理人员的综合安全注意事项。
注3: 车辆的一般安全要求见GB 18384。

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本文件描述了锂离子电池正极材料钴酸锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试方法。本文件适用于锂离子电池正极材料钴酸锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试,其他锂离子电池正极材料首次放电比容量及首次充放电效率的测试可参考本文件。

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GB/T 19258.2-2023 杀菌用紫外辐射源 第2部分:冷阴极低气压汞蒸气放电 即将实施 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-04-01

本文件规定了杀菌用紫外辐射源冷阴极低气压汞蒸气放电灯即冷阴极紫外线杀菌灯(以下简称“灯”)的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于采用石英玻璃或其他透紫外线玻璃生产的有臭氧或无臭氧,紫外辐射峰值波长为253.7 nm的双端、单端、自镇流、接导线或线端子方式的灯。

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本文件规定了绕组绝缘在重复冲击电压下局部放电起始和熄灭电压的离线测量方法。
本文件适用于电压型变频器供电的旋转电机。

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本文件描述了锂离子电池正极材料镍锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率测试方法。
本文件适用于锂离子电池正极材料镍锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率的测试,测试方法包括扣式半电池法和扣式全电池法。

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本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型(HBM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法,并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果,且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型(MM)测试方法(见IEC 6074927)或IEC 60749(所有部分)中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外,本测试方法为所选方法。

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本文件根据IEC 6134053的要求描述了评估静电放电屏蔽袋性能的试验方法,试验装置的设定电压为直流1 000 V。本试验方法同样适用于除屏蔽袋以外的其他柔性包装。本文件的目的是确保检测实验室对给定的包装材料进行试验能得到相近的结果。本文件不适用于电磁干扰(EMI)、射频干扰(RFI)、电磁脉冲(EMP)或挥发性物质的屏蔽防护。

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本文件依据半导体器件对规定的机器模型(MM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了半导体器件ESD测试和分级的标准程序。本文件相对于人体模型ESD,用作一种可选的测试方法,目的是提供可靠、可重复的ESD测试结果,以此进行准确分级。本文件适用于半导体器件,属于破坏性试验。半导体器件的ESD测试从本文件、人体模型(HBM见GB/T 4937.26)或GB/T 4937系列中的其他测试方法中选择。MM与HBM测试的结果相似但不完全相同。除另有规定外,HBM测试方法为所选方法。

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