微信公众号随时随地查标准

QQ交流1群(已满)

QQ群标准在线咨询2

QQ交流2群

购买标准后,可去我的标准下载或阅读

本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。
本文件适用于测试直径或边长不小于25.0 mm、厚度为0.1 mm~1.0 mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率,以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1 000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001 Ω·cm~200 Ω·cm,薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×103 Ω/□~3.0×103 Ω/□。本方法也可以扩展到其他半导体材料中,但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。

定价: 31元 / 折扣价: 27 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 5238-2019 锗单晶和锗单晶片 现行 发布日期 :  2019-06-04 实施日期 :  2020-05-01

本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容。
本标准适用于制备半导体器件、激光器组件、红外光学部件用的锗单晶和锗单晶片。

定价: 29元 / 折扣价: 25 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 16595-2019 晶片通用网格规范 现行 发布日期 :  2019-03-25 实施日期 :  2020-02-01

本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。本标准适用于标称直径100 mm~200 mm的硅片,也适用于其他半导体材料晶片。

定价: 29元 / 折扣价: 25 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 16596-2019 确定晶片坐标系规范 现行 发布日期 :  2019-03-25 实施日期 :  2020-02-01

本标准规定了使用直角坐标和极坐标建立晶片正面坐标系、背面坐标系和三维坐标系的程序。本标准适用于有图形和无图形的晶片坐标系的建立。该坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗粒等测试结果的准确位置。

定价: 24元 / 折扣价: 21 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 26071-2018 太阳能电池用硅单晶片 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-06-01

本标准规定了太阳能电池用硅单晶片(简称硅片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。
本标准适用于由直拉法制备的硅单晶加工成的准方形或方形硅片,产品用于制作太阳能电池的衬底片。

定价: 29元 / 折扣价: 25 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 现行 发布日期 :  2017-10-14 实施日期 :  2018-07-01

本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于测试位错密度小于1 000个/cm2、直径为75 mm~150 mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。

定价: 29元 / 折扣价: 25 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 32988-2016 人造石英光学低通滤波器晶片 现行 发布日期 :  2016-10-13 实施日期 :  2017-09-01

本标准规定了人造石英光学低通滤波器晶片术语和定义、分级、要求、测试方法、检验规则及包装、标识、交货条件。本标准适用于人造石英光学低通滤波器晶片。

定价: 31元 / 折扣价: 27 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法 现行 发布日期 :  2015-12-10 实施日期 :  2017-01-01

本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度,即总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)、弯曲度(Bow)、翘曲度(Warp)的测试方法。本标准适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm,厚度0.13 mm~1 mm碳化硅单晶抛光片平整度的测试。

定价: 24元 / 折扣价: 21 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法 现行 发布日期 :  2014-07-24 实施日期 :  2015-02-01

本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。
本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。

定价: 24元 / 折扣价: 21 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 现行 发布日期 :  2014-07-24 实施日期 :  2015-02-01

本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。
本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm~1 mm的碳化硅单晶片。

定价: 24元 / 折扣价: 21 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 现行 发布日期 :  2014-07-24 实施日期 :  2015-02-01

本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。
本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。

定价: 24元 / 折扣价: 21 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 26066-2010 晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法 现行 发布日期 :  2011-01-10 实施日期 :  2011-10-01

本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。
本标准适用于检测〈111〉或〈100〉晶向的p型或n型抛光片或外延片,电阻率大于0.001 Ω·cm。

定价: 24元 / 折扣价: 21 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 现行 发布日期 :  2011-01-10 实施日期 :  2011-10-01

1.1 本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。
1.2 本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

定价: 31元 / 折扣价: 27 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 25188-2010 晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量X射线光电子能谱法 现行 发布日期 :  2010-09-26 实施日期 :  2011-08-01

本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法,即X射线光电子能谱法(XPS)。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量;通常,本标准适用的氧化硅层厚度不大于6 nm。

定价: 29元 / 折扣价: 25 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 现行 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

定价: 29元 / 折扣价: 25 加购物车

在线阅读 收 藏
42 条记录,每页 15 条,当前第 1 / 3 页 第一页 | 上一页 | 下一页 | 最末页  |     转到第   页