本文件描述了铕中镧、铈、镨、钕、钐、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥和钇量的测定方法。
本文件适用于金属铕中镧、铈、镨、钕、钐、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥和钇量的测定。
本文件也适用于氧化铕中氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钐、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱、氧化镥和氧化钇量的测定。
本文件共包含三个方法：电感耦合等离子体发射光谱法(ICPOES，方法1)，测定范围见表1；电感耦合等离子体质谱法(ICPMS，方法2)，电感耦合等离子体串联质谱法(ICPMSMS，方法3)，测定范围见表2。
当三个方法的分析范围出现重叠时，推荐方法2作为仲裁方法。

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本文件规定了用气相色谱法测定工业用丙烯纯度及烃类杂质，这些杂质包括甲烷、乙烷、乙烯、丙烷、环丙烷、异丁烷、正丁烷、丙二烯、乙炔、反-2-丁烯、1-丁烯、异丁烯、顺-2-丁烯、1,3-丁二烯、甲基乙炔等。
本文件适用于纯度大于98%（体积分数），烃类杂质含量不小于1 mL/m3的工业用丙烯的测定。

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本文件描述了工业用丙烯酸甲酯、工业用丙烯酸乙酯、工业用丙烯酸正丁酯及工业用丙烯酸2乙基己酯中有机杂质及纯度的测定方法。本文件适用于由丙烯酸分别与甲醇、乙醇、正丁醇、2乙基己醇经酯化反应制得的相应酯类产品的分析。

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本文件规定了焦化甲苯中烃类杂质的气相色谱测定的采样、原理、试剂、仪器和材料、准备工作、试验步骤、结果计算、精密度。本文件适用于焦化甲苯中烃类杂质，包括苯、C8芳烃直至正壬烷的非芳烃的测定。内标法对每组杂质的测量范围(质量分数)为0.01%~0.03%；面积归一化法每组杂质的测量范围(质量分数)为0.002%~1.60%。

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本文件描述了用酸从多晶硅表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面金属杂质含量的方法。本文件适用于太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌、铝等杂质元素含量的测定，测定范围为0.01 ng/g。

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本文件规定了稀土铁合金（镧铁合金、铈铁合金、钆铁合金、镝铁合金、钬铁合金、钇铁合金）中稀土杂质含量的测定方法。
本文件适用于稀土铁合金（镧铁合金、铈铁合金、钆铁合金、镝铁合金、钬铁合金、钇铁合金）中稀土杂质含量的测定。测定元素及范围（质量分数）见表1。

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本文件描述了用电感耦合等离子体质谱技术测定石墨烯粉体中金属杂质含量的方法。本文件适用于石墨烯粉体中金属杂质的测定。其他碳基纳米材料，如碳纳米管、碳纤维、多孔炭等所含金属杂质的测定参照执行。

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本文件描述了稀土金属及其氧化物中碳、硫含量的测定方法。本文件适用于稀土金属及其氧化物中碳、硫含量的测定。测定范围(质量分数)：碳0.002 0%~1.00%；硫0.002 0%~0.20%。

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本文件规定了辉光放电质谱法测定金属锗中痕量杂质元素含量的方法。本文件适用于金属锗中痕量杂质元素含量的测定，测定范围为0.001 mg/kg～2 mg/kg。

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本文件描述了用电感耦合等离子原子发射光谱法测定锆及锆合金中铝、铍、钴、铜、铬、钙、铁、锗、铪、钾、锂、锰、镁、钼、铌、镍、钠、铅、硅、锡、钽、钛、钒、钨、锌含量的方法。本文件适用于海绵锆、锆及锆合金中合金及杂质元素含量的测定。各元素测定范围见表1。

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本文件描述了脱氧核糖核酸酶Ⅰ酶活及杂质的检测方法。本文件适用于脱氧核糖核酸酶Ⅰ酶活及杂质的检测。

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本文件描述了限制性核酸内切酶中污染其他核酸内切酶或核酸外切酶等杂质的检测方法。
本文件适用于限制性核酸内切酶杂质的检测。

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本文件规定了测定工业用丙烯腈纯度和杂质含量的气相色谱法。这些杂质包括乙醛、丙酮、丙烯醛、苯、甲基丙烯腈、乙腈、
噁唑、丙腈、顺-丁烯腈和反-丁烯腈等。
本文件适用于测定纯度不低于99%（质量分数)的丙烯腈试样，其中表1中条件1适合于含量不低于10.0 mg/kg的杂质和丙烯腈纯度的测定，条件2适用于含量为2.0 mg/kg ~ 10.0 mg/kg的杂质（甲基丙烯腈除外)的测定。

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本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的方法。
本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、Ⅴ族杂质铝（Al)、锑（Sb)、砷（As)、硼（B)、镓（Ga)、铟（In)和 磷（P)含量的测定，各元素的测定范围（以原子数计)为1.0×10 10 cm -3～4.1×10 14 cm -3

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本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3，元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。

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