本文件描述了超导条带光子探测器（SSPD）的性能参数之一暗计数率（DCR或RD）的测量，以及随偏置电流（Ib）和工作温度（T）变化关系的暗计数率的测试方法。界定了暗计数率相关的术语、定义、符号。
本文件适用于各种材料和结构的超导条带光子探测器的暗计数测量。

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本文件描述了Bi-2223氧化物超导体短直样品室温双弯曲后临界电流的测试方法。样品为具有扁平或方形结构的单芯或多芯银和/或银包套超导线材。超导线材可以采用铜合金、不锈钢或镍合金带叠层封装。
本文件适用于临界电流小于300 A、n-值大于5的超导体。室温双弯曲后临界电流的测试在无外加磁场的条件下进行，样品浸泡在开放液氮中。

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本文件规定了230 MeV～250 MeV超导质子回旋加速器（以下简称“加速器”）的基本组成和工作条件、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和随行文件。本文件适用于质子能量为230 MeV～250 MeV，束流强度为1 nA～1 000 nA的超导质子回旋加速器。本文件不适用于同步回旋加速器。

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本文件规定了超导用铌-钛（Nb-Ti）合金棒坯和棒材的技术要求、试验方法、验收规则及标记和包装等。
本文件适用于制造超导线用含Ti 46%~48%（质量分数）的Nb-Ti合金棒坯和棒材。

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本文件描述了一种测量单根长度不小于10 m的第二代高温超导(2G-HTS)长带的直流临界电流及其沿长度方向分布的方法(见第4章)。
本文件适用于测量宽度2 mm~15 mm、厚度0.1 mm~0.5 mm、临界电流小于500 A、n-值大于5、液氮温度下的过流能力至少是其标称临界电流的1.5倍的铜及铜合金封装带材。
本文件不适用于测量表面涂覆绝缘层的2G-HTS带材。
注1：本方法可用于测量临界电流超过500 A的带材，但直流恒流源需能够提供足够高的电流，并且需要更加谨慎地设计保护电路，以防止测量过程中带材受损。
注2：本方法的测量条件为一个标准大气压和自场，且测量部分全部浸入到液氮浴内，并处于稳定状态。在测量过程中大气压力出现偏离或有磁场存在的情况下，根据需要可以对测量结果进行修正。
注3：其他的一些具体限制和辅助的测量方法，在附录A和附录B中给出。

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本文件描述了Nb-Ti与Nb3Sn复合超导体扭距测量的原理、化学药品、仪器设备、样品制备、测量步骤、试验数据处理、测量不确定度和测试报告。
本文件适用于直径在0.2 mm~2 mm(或与之截面积等同的矩形)，超导丝直径在6 μm~200 μm，扭距在5 mm~50 mm，基体为铜的一体化结构NbTi与Nb3Sn多丝复合超导体扭距的测量。
本文件不适用于表面有镀层或表面覆盖不可被硝酸溶蚀镀层的超导体。
注1： 使用本方法测量横截面形状、面积、超导丝直径和扭距超出本范围的复合超导体，不确定度将增大。
注2： 经过适当修正，本文件给出的测量方法适用于其他类似结构的复合超导体。

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本文件描述了运用直流或低扫场速率磁强计方法测量Cu/Nb-Ti多丝复合材料磁滞损耗的相关事宜。本文件规定了Cu/Nb-Ti多丝复合导体中磁滞损耗的一种测量方法。测量在温度为4.2 K或接近于4.2 K的圆形截面超导线上进行。直流或低扫场速率磁强计法使用的是超导量子干涉器件（SQUID）磁强计（见附录A）或振动样品磁强计（VSM）。如果测量中发现用不同的（但均校准过的）磁强计所得的结果存在差异，则以外推至零扫场速率下的VSM测量结果为准。将本测量方法推广到一般超导体的规范详见附录B。

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本标准规定了用三次谐波电压感应法测量大面积高温超导（HTS）膜局域临界电流密度（Jc）及其分布的方法。精确测量中最重要的因素是通过电场强度判据确定液氮温区的Jc值和通过Jc的频率依赖关系获得电流电压特性。尽管可以在有直流磁场的情况下测量Jc[20,21]，但是本标准仅适用于没有直流磁场的情况。
本标准实质上测量的是超导膜临界面电流，即Jc与超导膜的厚度d的乘积。高温超导膜的Jcd的测量范围和测量分辨率如下：
——Jcd：从200 A/m~32 kA/m（依据实验结果，不限于）；
——分辨率：100 A/m（依据实验结果，不限于）。

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本标准给出了超导传感器和探测器的通用规范，这些是IEC 61788其他部分中对各种类型传感器和探测器的规范的基础。所述传感器和探测器主要由超导材料组成并依赖于超导或相关现象。被测目标（物理量）包括磁场、电磁波、不同能量光子、电子、粒子、α粒子及其他。

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本标准规定了无应变、无外加磁场条件下铜(Cu)、铜-镍(Cu-Ni)、铜/铜-镍(Cu/Cu-Ni)基体和铝(Al)基体的铌-钛(Nb-Ti)和铌三锡(Nb3Sn)复合超导体剩余电阻比(RRR)的测试方法。本标准适用于剩余电阻比值低于350、横截面小于3 mm2、具有矩形或圆形横截面的一体化超导体的剩余电阻比的测量。对于Nb3Sn复合超导体，样品经反应热处理。

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本标准规定了超导回旋质子加速器机房屏蔽的一般要求、剂量率参考控制水平、屏蔽计算和辐射监测等要求。
本标准适用于质子能量在70 MeV~1 000 MeV范围内的超导回旋质子加速器的辐射屏蔽设计，也可用于质子能量在70 MeV~1 000 MeV范围内的其他类型质子加速器的辐射屏蔽设计。

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本标准规定了反应后的Cu/Nb3Sn复合超导线室温拉伸试验方法原理、装置、试样制备、测试条件、结果计算、测量不确定度、测试报告。
本试验方法用于通过应力应变曲线来测量弹性模量和规定塑性延伸强度（由复合体中铜和铜锡组分的屈服而产生）。
另外，弹性极限、抗拉强度、断后伸长率可由本方法测量。根据国际循环比对试验报告，弹性极限和断后伸长率的测量具有很大不确定度，因此，这些物理量为选测。
本标准适用于测量横截面积在0.15 mm2～2.0 mm2,铜-非铜体积比在0.2～1.5之间的圆形或矩形截面的无绝缘覆层试样。

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本标准给出了实用超导线的一般特性，并提供了实用超导线的力学、电学和超导特性测试方法方面的应用指南。实用线指的是可以商业化批量连续制备成足够的长度，且能够用于制造设备的线材。
本标准尤其关注实用超导线不同于常规铜和铝线的特性。
本标准适用于GB/T 2900.100-2017中2.4描述的多种超导线，包含单芯、多芯超导线，复合超导体和涂层导体，以及其他一体化结构的复合超导线。
本标准不适用于实用超导线以外的其他线（如原型、试样和开发中的线），以及多根线组成的导体（如电缆）。

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本标准规定了在微波频率下利用双谐振器法测试超导体表面电阻的方法，测试目标是在谐振频率下RS随温度的变化。改进型镜像介质谐振器法，作为另外一种可选用的方法，在附录B中给出。本标准适用于表面电阻的测试范围如下：--频率：8 GHz<f<30 GHz；--测试分辨率：0.01 mΩ（f = 10 GHz）。测试报告给出在测试频率下的表面电阻值，并且给出利用RS ∝ f 2的关系折合到10 GHz的值。

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