本文件规定了高纯氢氧化钠的外观、物化性能等技术要求，描述了相应的取样、试验方法、检验规则、标志、标签、随行文件、包装、运输和贮存。本文件适用于氯化钠水溶液电解生产的高纯氢氧化钠产品的生产、使用、质量控制。

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本文件规定了高纯锗γ谱仪（以下简称“谱仪”)的分类、技术要求,描述了试验方法，同时对检验规则、标志、随行文件、运输及贮存进行了规定。
本文件适用于具有同轴型半导体探测器（以下简称“同轴型”)的高纯锗γ谱仪的生产、销售、管理和检测等。用于特殊或定制场景的其他类型高纯锗γ谱仪参考使用。

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本文件规定了高纯镓的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于纯度不小于99.999 9%的高纯镓的生产、检测及质量评价。
注： 高纯镓主要用于制备化合物半导体、高纯合金以及半导体材料的掺杂等。

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本文件规定了蓝宝石单晶用高纯氧化铝的产品牌号、分类及标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于蓝宝石单晶用高纯氧化铝（以下简称高纯氧化铝），其他用途的高纯氧化铝可参照本文件执行。

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本文件规定了高纯不透明石英玻璃的分级,要求,试验方法,检验规则,标志、包装、运输和贮存。本文件适用于半导体、光伏等领域具有隔热作用的高纯不透明石英玻璃材料。

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本文件规定了高纯镍的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于溅射靶材及离子镀膜、电子工业用连线、高纯试剂、高性能合金等用途的电解或电积高纯镍。

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本文件规定了高纯钴的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。
本文件适用于溅射靶材及离子镀膜、高纯试剂、高性能合金等用途的电解或电积高纯钴。

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本文件规定了高纯锑的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于以工业锑为原料，经氯化、精馏、氢气还原、真空蒸馏、区域熔炼或直拉提纯生产工艺制备的高纯锑。
注： 高纯锑主要用于制备ⅢⅤ族化合物半导体材料、高纯合金、热电致冷元件，以及用作硅、锗单晶的掺杂剂。

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本文件规定了高纯二氧化碳的技术指标、检验规则、采样、标志、包装、储运、充装及安全警示的要求，描述了高纯二氧化碳的试验方法。
本文件适用于以工业二氧化碳、工业尾气、食品添加剂液体二氧化碳为原料经纯化制备的、纯度大于或等于99.99%(摩尔分数)的二氧化碳。

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本标准规定了高纯银锭的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和质量证明书、订货单（或合同）。
本标准适用于以各种含银原料生产的应用于电子光伏产业、超导材料、靶材、工业级镀膜、医药等领域的高纯银锭。

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本标准规定了平面显示用高纯铜旋转管靶的术语和定义、分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。
本标准适用于平面显示用各种规格的4N、4N5、5N高纯铜旋转管靶产品。

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本标准规定了集成电路用高纯铜合金靶材（以下简称靶材）的分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。
本标准适用于集成电路制造用的高纯铜铝（CuAl）合金靶材和高纯铜锰（CuMn）合金靶材。

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本标准规定了高纯铜产品的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于溅射靶材及离子镀膜加工产品、电子工业各种连接线、电子封装用键合线、高品质音频线、高纯试剂、标样及高级合金等用途的高纯铜。

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本标准规定了采用电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法测定高纯氧化铝粉体中痕量金属元素含量的方法。
本标准适用于高纯氧化铝粉体（氧化铝含量的质量分数范围在99.9%~99.995%之间）中钙、铬、铜、铁、镧、镁、锰、钠、镍、铅、硅、钛、钒、钇、锌、锆等痕量金属元素含量的测定。各元素的测定范围见表1。

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本标准规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-OES)法和电感耦合等离子体质谱（ICP-MS)法测定高纯碳化硅中微量元素含量的方法。
本标准适用于碳化硅质量分数含量大于或等于99.9%的高纯碳化硅材料中铝、砷、钙、铬、铜、铁、汞、钾、镁、锰、钠、镍、铅、硫、钛、锌等16种元素的测定。各元素的测定范围见表1（以质量分数计)。

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