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提示：
Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in indium antimonide single crystal
| 介绍 | 国家标准计划《锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委 |
| 项目进度 |
起草 征求意见 审查 批准 发布 |
| 基础信息 | 计划号：20252259-T-469 |
| 制修订：修订 | |
| 项目周期： 16个月 | |
| 下达日期：2025-07-01 | |
| 标准类型：方法 | |
| 中国标准分类号：29.045 | |
| 国际标准分类号： | |
| 组织起草部门：国家标准化管理委员会 | |
| 技术委员会：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | |
| 起草单位 | 中国电子科技集团公司第十一研究所、中国电子技术标准化研究院、中航凯迈红外科技有限公司 |
| 采标情况 | |
