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提示：
Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer
| 介绍 | 国家标准计划《太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。拟实施日期：发布后3个月正式实施 |
| 项目进度 |
起草 征求意见 审查 批准 发布 |
| 基础信息 | 计划号：20141879-T-469 |
| 制修订：制定 | |
| 项目周期： 36个月 | |
| 下达日期：2014-12-23 | |
| 标准类型：方法 | |
| 中国标准分类号：29.045 | |
| 国际标准分类号：H80 | |
| 组织起草部门：国家标准化管理委员会 | |
| 技术委员会：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | |
| 起草单位 | 英利集团有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、泰州中来光电科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、天津英利新能源有限公司 |
| 采标情况 | |
