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提示：
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
| 介绍 | 国家标准计划《掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会 |
| 项目进度 |
起草 征求意见 审查 批准 发布 |
| 基础信息 | 计划号：20110452-T-469 |
| 制修订：修订 | |
| 项目周期： 24个月 | |
| 下达日期：2011-10-18 | |
| 标准类型：方法 | |
| 中国标准分类号：29.045 | |
| 国际标准分类号：H80 | |
| 组织起草部门：国家标准化管理委员会 | |
| 技术委员会：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | |
| 起草单位 | 有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司 |
| 采标情况 | |
