Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials
介绍 | 国家标准计划《碳化硅晶体材料缺陷图谱》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。拟实施日期:发布后6个月正式实施 |
项目进度 |
起草 征求意见 审查 批准 发布 |
基础信息 | 计划号:20213238-T-469 |
制修订:制定 | |
项目周期: 24个月 | |
下达日期:2021-08-24 | |
标准类型:基础 | |
中国标准分类号:29.045 | |
国际标准分类号:H80 | |
组织起草部门:国家标准化管理委员会 | |
技术委员会:全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | |
起草单位 | 广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院半导体研究所、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、新美光(苏州)半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司 |
采标情况 | |