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提示：
Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials---Transmission electron microscopy
| 介绍 | 国家标准计划《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试透射电子显微镜法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。拟实施日期：发布后6个月正式实施 |
| 项目进度 |
起草 征求意见 审查 批准 发布 |
| 基础信息 | 计划号：20214216-T-469 |
| 制修订：制定 | |
| 项目周期： 30个月 | |
| 下达日期：2021-10-13 | |
| 标准类型：方法 | |
| 中国标准分类号：77.040 | |
| 国际标准分类号：H21 | |
| 组织起草部门：国家标准化管理委员会 | |
| 技术委员会：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | |
| 起草单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、苏州科技大学、北京大学、国家纳米科学中心、北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、苏州大学、山东浪潮华光光电子股份有限公司、北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司 |
| 采标情况 | |
