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提示：
Semiconductor devices - Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors
| 介绍 | 国家标准计划《半导体器件金属氧化物半导体（MOS）晶体管的热载流子试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。拟实施日期：发布后3个月正式实施 |
| 项目进度 |
起草 征求意见 审查 批准 发布 |
| 基础信息 | 计划号：20213170-T-339 |
| 制修订：制定 | |
| 项目周期： 18个月 | |
| 下达日期：2021-08-24 | |
| 标准类型：方法 | |
| 中国标准分类号：31.080.01 | |
| 国际标准分类号：L55 | |
| 组织起草部门：国家标准化管理委员会 | |
| 技术委员会：全国半导体器件标准化技术委员会 | |
| 起草单位 | 工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、国防科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 采标情况 | 本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62416:2010 |
| 采标中文名称:半导体器件 关于MOS晶体管的热载流子试验 |
