半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验

Semiconductor devices – Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

制定
介绍 国家标准计划《半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验》由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口,主管部门为工业和信息化部(电子)。拟实施日期:发布后3个月正式实施
项目进度

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审查

批准

发布

基础信息 计划号:20213176-T-339
制修订:制定
项目周期: 18个月
下达日期:2021-08-24
标准类型:方法
中国标准分类号:31.080.01
国际标准分类号:L40
组织起草部门:国家标准化管理委员会
技术委员会:全国半导体器件标准化技术委员会
起草单位 中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、安徽华祯光电有限公司、佛山市川东磁电股份有限公司、厦门芯阳科技股份有限公司、河北新华北集成电路有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、上海维安半导体有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、重庆平伟实业股份有限公司、无锡新洁能股份有限公司、江苏长晶科技股份有限公司
采标情况 本标准等同采用IEC国际标准:IEC 62417:2010
采标中文名称:半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的自由离子试验