购物车
400-168-0010
本标准阅读由平台提供
即将离开本页面去往平台，确定前往？
提示：
Semiconductor devices - Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films
| 介绍 | 国家标准计划《半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。拟实施日期：发布后3个月正式实施 |
| 项目进度 |
起草 征求意见 审查 批准 发布 |
| 基础信息 | 计划号：20213173-T-339 |
| 制修订：制定 | |
| 项目周期： 18个月 | |
| 下达日期：2021-08-24 | |
| 标准类型：方法 | |
| 中国标准分类号：31.080.01 | |
| 国际标准分类号：L55 | |
| 组织起草部门：国家标准化管理委员会 | |
| 技术委员会：全国半导体器件标准化技术委员会 | |
| 起草单位 | 工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、安徽长麦智能科技有限公司、中国科学院半导体研究所、广东汇芯半导体有限公司、贵州振华风光半导体股份有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市森美协尔科技有限公司 |
| 采标情况 | 本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62374:2007 |
| 采标中文名称:半导体器件 栅介质层的时间相关（电）介质击穿（TDDB）试验 |
