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提示：
Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics
| 介绍 | 国家标准计划《碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。拟实施日期：发布后6个月正式实施 |
| 项目进度 |
起草 征求意见 审查 批准 发布 |
| 基础信息 | 计划号：20210888-T-469 |
| 制修订：制定 | |
| 项目周期： 24个月 | |
| 下达日期：2021-04-30 | |
| 标准类型：方法 | |
| 中国标准分类号：77.040 | |
| 国际标准分类号：H21 | |
| 组织起草部门：国家标准化管理委员会 | |
| 技术委员会：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | |
| 起草单位 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、厦门坤锦电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国科学院半导体研究所、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、浙江东尼电子股份有限公司 |
| 采标情况 | |
