半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验-Semiconductor devices - Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)-中国标准在线服务网

Semiconductor devices - Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)

制定

介绍	国家标准计划《半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。拟实施日期：发布后3个月正式实施
项目进度	起草征求意见审查批准发布
基础信息	计划号：20210839-T-339
	制修订：制定
	项目周期： 18个月
	下达日期：2021-04-30
	标准类型：方法
	中国标准分类号：31.080.01
	国际标准分类号：L55
	组织起草部门：国家标准化管理委员会
	技术委员会：全国半导体器件标准化技术委员会
起草单位	工业和信息化部电子第五研究所、河北北芯半导体科技有限公司、上海交通大学、中科院微电子所、厦门芯阳科技股份有限公司、深圳市威兆半导体股份有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所
采标情况	本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62373:2006
采标情况	采标中文名称:半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的温度偏置稳态试验