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提示：
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)
| 介绍 | 国家标准计划《半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子） |
| 项目进度 |
起草 征求意见 审查 批准 发布 |
| 基础信息 | 计划号：20030157-T-339 |
| 制修订：制定 | |
| 项目周期： 48个月 | |
| 下达日期：2005-12-14 | |
| 标准类型：产品 | |
| 中国标准分类号：31.080.30;31.080.01 | |
| 国际标准分类号：L42 | |
| 组织起草部门：国家标准化管理委员会 | |
| 技术委员会：全国半导体器件标准化技术委员会 | |
| 起草单位 | 西安电力电子技术研究所、西安爱帕克电力电子有限公司、英飞凌科技（中国）有限公司、威海新佳电子有限公司、江苏宏微科技有限公司 |
| 采标情况 | 本标准等同采用IEC国际标准：IEC 60747-9:2007 |
| 采标中文名称:半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTs) |
