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Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
| 介绍 | 国家标准计划《集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。拟实施日期：发布后6个月正式实施 |
| 项目进度 |
起草 征求意见 审查 批准 发布 |
| 基础信息 | 计划号：20192102-T-469 |
| 制修订：制定 | |
| 项目周期： 24个月 | |
| 下达日期：2019-07-12 | |
| 标准类型：产品 | |
| 中国标准分类号：29.045 | |
| 国际标准分类号：H82 | |
| 组织起草部门：国家标准化管理委员会 | |
| 技术委员会：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | |
| 起草单位 | 有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司 |
| 采标情况 | |
