本文件规定了放大器的分类、技术要求、测试方法和检验规则等。
本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造放大器的设计、制造、采购和验收。

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本文件规定了半导体集成电路中直接数字频率合成器（以下简称“器件”）电特性的通用测试方法。本文件适用于单通道及多通道直接数字频率合成器电路的测试。

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本文件规定了模拟数字（AD）转换器（以下简称AD转换器或ADC）的分类、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造的AD转换器。

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本文件界定了用于射频控制和选择的MEMS体声波谐振器、滤波器和双工器的术语和定义，给出了基本额定值和特性，描述了测试方法，用于评估和确定其性能。本文件规定了体声波谐振器、滤波器和双工器的试验方法和通用要求，用于能力批准程序或鉴定批准程序的质量评定。

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本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。
本文件用于确定器件是否由于外部发热造成燃烧。本试验使用针焰，模拟内部装有元器件的设备在故障条件下可能引起的小火焰的影响。
注：除了本章增加的内容以及第2章和第4章增加了标题并重新编号外，本试验方法与IEC 60749（1996）第4章1.2的试验方法一致。

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本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。
本文件用于确定器件是否由于过负荷引起内部发热而燃烧。

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本文件依据半导体器件对规定的机器模型(MM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度，建立了半导体器件ESD测试和分级的标准程序。本文件相对于人体模型ESD，用作一种可选的测试方法，目的是提供可靠、可重复的ESD测试结果，以此进行准确分级。本文件适用于半导体器件，属于破坏性试验。半导体器件的ESD测试从本文件、人体模型(HBM见GB/T 4937.26)或GB/T 4937系列中的其他测试方法中选择。MM与HBM测试的结果相似但不完全相同。除另有规定外，HBM测试方法为所选方法。

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本文件描述了随时间的推移，偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。该试验以加速寿命模式模拟器件工作，主要用于器件的鉴定和可靠性检验。短期的高温偏置寿命通常称之为老炼，可用于筛选试验中剔除早期失效产品。本文件未规定老炼的详细要求和应用。

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本文件描述了评价半导体器件耐高温高湿环境能力的试验方法。
本文件适用于评价塑封半导体器件和其他类型封装半导体器件的芯片金属化互连耐腐蚀能力。也可作为由于湿气通过钝化层渗透而导致漏电的加速方法，以及多种试验前的预处理方法。

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本文件描述了电子元器件在实际贮存条件下随时间推移的退化机理和退化方式，以及评估一般退化机理的试验方法。通常本文件与IEC 624351一起使用，用于预计贮存时间超过12个月的长期贮存器件。特定类型电子元器件的退化机理在IEC 624355～IEC 624359中加以规定。

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本文件规定了单个芯片、部分晶圆或整个晶圆，以及带金属结构（引入金属层、植球植柱等)芯片的贮存条件和规则，同时为含有芯片或晶圆的通用和专用封装产品提供了操作指导。
本文件适用于预计贮存时间超过12个月的芯片和晶圆的长期贮存。

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本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号，描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关，射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类，包括直流触点型开关和电容触点型开关；按结构分类，包括串联开关和并联开关，射频MEMS开关的几何结构说明见附录B；按开关网络分类，包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等；按驱动方式分类，包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR（软件无线电）电话、测试设备、可调谐器件和系统、卫星等方面应用广泛，射频MEMS开关的应用说明见附录E。

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本文件规定了焊球阵列（BGA）封装的尺寸测量方法。
本文件规定的测量方法，在符合下述约定条件下，为用户提供尺寸保证：
a) 测量一般采用手工或自动方式进行；
b) 如果某个尺寸不易直接测量，则最佳的替代测量方法将被确定为首选方法。

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本文件界定了半导体器件长期贮存的相关术语、定义和原理。长期贮存作为一种延缓淘汰的策略，是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。本文件提供了有效进行元器件长期贮存的理念、良好工作习惯和一般方法。

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本文件适用于安装在除轻便摩托车外的量产道路车辆上的包含一个或多个电气/电子系统的与安全相关的系统。本文件不适用于特殊用途车辆上特定的电气/电子系统，例如为残疾驾驶者设计的车辆系统。〓〓注： 其他专用的安全标准可作为本文件的补充，反之亦然。已经完成生产发布的系统及其组件或在本文件发布前正在开发的系统及其组件不适用于本文件。对于在本文件发布前完成生产发布的系统及其组件进行变更时，本文件基于这些变更对安全生命周期的活动进行裁剪。未按照本文件开发的系统与按照本文件开发的系统进行集成时，需要按照本文件进行安全生命周期的裁剪。本文件针对由安全相关的电气/电子系统的功能异常表现而引起的可能的危害，包括这些系统相互作用而引起的可能的危害。本文件不针对与触电、火灾、烟雾、热、辐射、毒性、易燃性、反应性、腐蚀性、能量释放等相关的危害和类似的危害，除非危害是直接由安全相关的电气/电子系统的功能异常表现而引起的。本文件提出了安全相关的电气/电子系统进行功能安全开发的框架，该框架旨在将功能安全活动整合到企业特定的开发框架中。本文件规定了为实现产品功能安全的技术开发要求，也规定了组织具备相应功能安全能力的开发流程要求。本文件不针对电气/电子系统的标称性能。本文件只具有资料性特性，包含了GB/T 34590其他部分针对半导体开发的可能解释。关于可能的解释，该内容并非详尽无遗，即为了满足GB/T 34590的其他部分定义的要求，其他解释也是可能的。

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