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本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于在导电型碳化硅衬底上,生长碳化硅同质外延层的外延片,产品用于制作碳化硅电力电子器件。
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本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。 本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018 cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016 cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试,测试范围为3 μm~200 μm。
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本文件规定了硅外延用三氯氢硅(SiHCl 3)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于以三氯氢硅为原料精制提纯而制得的硅外延用三氯氢硅(以下简称产品)。
本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。 本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。
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本文件规定了电容电压法测试硅外延层载流子浓度的方法,包括汞探针电容电压法和无接触电容电压法。 本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试,测试范围为4×1013 cm-3~8×1016 cm-3,其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行,其中无接触电容电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。
本标准规定了硅外延片的牌号和分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于在直径不大于150 mm的N型和P型硅抛光片衬底上生长的硅外延片。
本标准规定了氮化镓外延片(以下简称外延片)及氮化镓衬底片(以下简称衬底片)的通用规范,包括产品分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存等。本标准适用于氮化镓外延片与氮化镓衬底片。产品主要用于发光二极管、激光二极管、探测器等光电器件,以及微波与电力电子功率器件。
本标准规定了太阳能电池用锗基ⅢⅤ族化合物外延片(以下简称“外延片”)的术语和定义、分类及牌号、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用锗基ⅢⅤ族化合物外延片。
本标准规定了直径200 mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书。本标准适用于在N型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片。产品主要用于制作集成电路或半导体器件。
本标准规定了用化学腐蚀显示,并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验,硅外延层厚度大于2 μm,缺陷密度的测试范围0~10 000 cm-2。
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本标准规定了硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书以及订货单 (或合同)内容。 本标准适用于以粗三氯氢硅为原料经过提纯而制得的硅外延用三氯氢硅(以下简称产品)。
本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法。 本标准适用于在氧化物衬底(Al2O3、ZnO等)或半导体衬底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生长的氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可参考本标准。
本标准规定了利用高分辨X射线衍射测试Ⅲ族氮化物外延片晶格常数的方法。 本标准适用于在氧化物衬底(Al2O3、ZnO等)或半导体衬底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生长的氮化物(Ga, In, Al)N单层或多层异质外延片晶格常数的测量。其他异质外延片晶格常数的测量也可参考本标准。
本标准规定了ⅢⅤ族氮化物LED外延片内量子效率的测试方法。 本标准适用于基于ⅢⅤ族氮化物的量子阱LED内量子效率的测试。
本标准规定了LED发光用氮化镓基外延片(以下简称外延片)的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于LED发光用氮化镓基外延片。
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