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GB/T 34504-2017 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法 现行 发布日期 :  2017-10-14 实施日期 :  2018-05-01

本标准规定了蓝宝石抛光衬底片表面深度为5 nm以内的残留金属元素的全反射X光荧光光谱测试方法。本标准适用于蓝宝石抛光衬底片表面残留的、在元素周期表中11(Na)~92(U)号(除去铝和氧),且面密度在109 atoms/cm2~1015 atoms/cm2范围内元素的定量测量。其他用途蓝宝石抛光片表面残留金属元素的测量可参照本标准执行。

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GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法 现行 发布日期 :  2017-05-31 实施日期 :  2017-12-01

本标准规定了蓝宝石单晶位错密度的测量方法。
本标准适用于抛光加工后位错密度为0个/cm2~100 000个/cm2的蓝宝石单晶位错密度的测量,检测面为{0001}、{1120}、{1012}、{1010}面。

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本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定,其中铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、硼(B)、磷(P)、钙(Ca)、钠(Na)、镁(Mg)、铝(Al)、砷(As)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、锰(Mn)、钴(Co)、镓(Ga)等元素的测定范围为5 μg/kg~50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料,例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。

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GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法 现行 发布日期 :  2015-12-10 实施日期 :  2016-11-01

本标准规定了用阴极荧光显微镜法测试氮化镓单晶位错密度的方法。
本标准适用于位错密度在1×103个/cm2~5×108个/cm2之间的氮化镓单晶中位错密度的测试。

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本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP—MS)测定光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质含量的方法。
本标准适用于光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质铁、铬、镍、铜、锌含量的测定。各元素的测量范围见表1。

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GB/T 31780-2015 临界温度测量 电阻法测复合超导体临界温度 现行 发布日期 :  2015-07-03 实施日期 :  2016-02-01

本标准规定了工业用的电阻测定复合超导体临界温度的测量方法。
本标准适用于一体化结构的圆形、扁平或方形截面的单芯或多芯复合超导体,包括Cu/NbTi、Cu/CuNi/NbTi和CuNi/NbTi复合超导体,Cu/Nb3Sn和Cu/Nb3Al复合超导体,以及金属包套的MgB2复合超导体,金属为稳定体的Bi系氧化物超导体,Y系或稀土金属基涂层导体。

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GB/T 31527-2015 力学性能测量 NbTi/Cu复合超导线室温拉伸试验方法 现行 发布日期 :  2015-05-15 实施日期 :  2015-12-01

本标准规定了NbTi/Cu复合超导线室温拉伸试验方法。
本试验方法用以测量弹性模量,规定塑性延伸强度(由复合体中Cu的屈服而产生的)和抗拉强度。
断后伸长率和由组分中NbTi屈服定义的第二类规定塑性延伸强度仅作参考(见A.1和A.2)。
本标准适用于测试横截面积在0.15 mm2~2 mm2,铜超比在1.0~8.0之间的圆形或矩形截面的无绝缘覆层试样。

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本标准规定了一种块状高温超导体俘获磁场(俘获磁通密度)的测量方法。
本标准适用于具有规则形状,诸如圆片、圆柱、矩形块和正六棱柱的大晶粒块状氧化物超导体在4.2 K~90 K温度范围内的俘获磁通密度评估。基于标准化的目的,只报告液氮温度下的俘获磁通密度。

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GB/T 30074-2013 用电化学技术测量金属中氢渗透(吸收和迁移)的方法 现行 发布日期 :  2013-12-17 实施日期 :  2014-09-01

本标准规定了根据氢在金属中稳态扩散通量的测定结果评价氢在金属中吸收量以及测定氢原子在金属中的有效扩散系数和鉴别对氢可逆和不可逆捕集的方法。
本标准适用于所有可测量氢渗透的金属,用于比较金属暴露在不同环境中氢吸收能力的大小。

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GB/T 30140-2013 磁性材料在低频磁场中屏蔽效能的测量方法 现行 发布日期 :  2013-12-17 实施日期 :  2014-05-14

本标准规定了在低频磁场中测量磁性材料磁屏蔽效能的方法。
本标准适用于涉及的材料包括:金属磁屏蔽材料、复合磁屏蔽材料和各类涂层屏蔽材料。

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本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICPMS)测定光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质含量的方法。
本标准适用于光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、镍、铜、锌、钼含量的测定。各元素的测量范围见表1。

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GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法 现行 发布日期 :  2013-11-12 实施日期 :  2014-04-15

本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。
本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。

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本标准规定了用二次离子质谱仪(SIMS)测定光伏电池用硅材料中硼和铝含量的方法。
本标准适用于光伏电池用硅材料中受主杂质硼和铝含量的定量分析,其中硼和铝的浓度均大于1×1013atoms/cm3。其他受主杂质的测量也可参照本标准。

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本标准规定了用二次离子质谱仪(SIMS)测定光伏电池用硅材料中磷、砷和锑含量的方法。
本标准适用于光伏电池用硅材料中施主杂质磷、砷和锑含量的定量分析,其中磷、砷和锑的浓度均大于1×1014atoms/cm3。

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GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 现行 发布日期 :  2013-05-09 实施日期 :  2014-02-01

本标准提供了硅片表面粗糙度测量常用的轮廓仪、干涉仪、散射仪三类方法的测量原理、测量设备和程序,并规定了硅片表面局部或整个区域的标准扫描位置图形及粗糙度缩写定义。
本标准适用于平坦硅片表面的粗糙度测量;也可用于其他类型的平坦晶片材料,但不适用于晶片边缘区域的粗糙度测量。
本标准不适用于带宽空间波长≤10 nm的测量仪器。

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