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本文件提供了在商用碳化硅(SiC)同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例,为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。
本文件主要论述缺陷的无损表征方法,因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

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本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类,并通过明场光学显微术(OM)、光致发光(PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。

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本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例,为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。

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GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”)的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。
本标准适用于制备直径50.8 mm~152.4 mm氮化物半导体材料的HVPE设备。

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本标准规定了用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等痕量元素含量的方法。
本标准适用于硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等含量的测定。各元素测定范围见表1。

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GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延 现行 发布日期 :  1992-12-28 实施日期 :  1993-08-01

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