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T/CASAS 027-2023 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法 现行 发布日期 :  2023-06-30 实施日期 :  2023-07-01

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T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备 现行 发布日期 :  2023-06-20 实施日期 :  2023-07-20

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T/ZZB 2833-2022 高压MOSFET用200 mm硅外延 现行 发布日期 :  2022-12-08 实施日期 :  2022-12-31

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T/ICMTIA SM006-2021 集成电路线宽65nm-14nm逻辑工艺用300mm P/P-型硅外延 现行 发布日期 :  2021-05-31 实施日期 :  2021-07-30

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T/IAWBS 007-2018 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 现行 发布日期 :  2018-12-06 实施日期 :  2018-12-17

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T/CASAS 004.2-2018 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 现行 发布日期 :  2018-11-20 实施日期 :  2018-11-20

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T/CASAS 004.1-2018 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 现行 发布日期 :  2018-11-20 实施日期 :  2018-11-20

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T/CASAS 003-2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 现行 发布日期 :  2018-11-20 实施日期 :  2018-11-20

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T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 现行 发布日期 :  2017-12-20 实施日期 :  2017-12-31

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T/IAWBS 002-2017 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 现行 发布日期 :  2017-12-20 实施日期 :  2017-12-31

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