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本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。 本标准适用于在〈111〉、〈100〉和〈110〉晶向的硅单晶衬底上生长的2 μm~120 μm硅外延层厚度的测量。
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本标准规定了外延钉缺陷的检验方法。 本标准适用于判断硅外延片上是否存在高度不小于4 mm的钉缺陷。如果钉缺陷数量比较少且彼此不相连,可对钉缺陷进行计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。
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本标准规定了硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷(包括二氯二氢硅、四氯化硅)含量的气相色谱测定方法。 本标准适用于硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷(包括二氯二氢硅、四氯化硅)含量的测定。测定下限为0.002%。
本标准规定了测定硅外延层和扩散层厚度的磨角染色法。 本标准适用于外延层和扩散层与衬底导电类型不同或两层电阻率相差至少一个数量级的任意电阻率的硅外延层和扩散层厚度的测量,测量范围为1 μm~100 μm。
本标准规定了异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法。 本标准适用于测量衬底与沉积层之间界面层厚度小于100 nm的异质外延层和硅多晶层的厚度测量范围为1 μm~100 μm。
本标准规定了硅外延用三氯氢硅中总碳含量的气相色谱测定方法。 本标准适用于硅外延用三氯氢硅中总碳含量的测定,测定范围为0.000 05%~0.005%。
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