本文件描述了镍铂靶材合金中碳含量的测定方法。本文件适用于镍铂靶材合金中碳含量的测定。测定范围(质量分数)：0.001%~0.10%。

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本文件描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。
本文件适用于电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶片及电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测试(室温下测试范围：5×1015 cm-3至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80 K时测试范围：不小于5×1014 cm-3)。

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本文件描述了采用红外线吸收法、气体容量法、重量法和库仑法测定锰铁、锰硅合金、氮化锰铁及金属锰中的碳含量的方法。本文件适用于锰铁、锰硅合金、氮化锰铁及金属锰中碳含量的测定。测定范围（质量分数）：方法一为0.010%~10.00%；方法二为0.40%~5.00%，不适用于氮化锰铁和金属锰中碳含量的测定；方法三为4.00%~8.00%，适用于高碳锰铁中碳含量的测定；方法四为0.010%~0.40%，仅适用于金属锰中碳含量的测定。

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本文件描述了采用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧含量的方法。
本文件适用于室温电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶中代位碳、间隙氧含量的测定，测定范围(以原子数计)为2.5×1014 cm-3~1.5×1017 cm-3。

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本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。
本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018  cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016 cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3 μm～200 μm。

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本文件描述了钨精矿中硫含量的测定方法。本文件适用于钨精矿中硫含量的测定，包含两个方法（方法一：高频感应红外吸收法；方法二：燃烧碘量法)。方法一测定范围（质量分数)：0.10%～4.00%；方法二测定范围（质量分数)：1.00%～10.00%。 测定范围重叠部分以方法二为仲裁方法。

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本文件描述了稀土铁合金中碳、硫含量的测定方法。
本文件适用于稀土铁合金中碳、硫含量的测定。测定范围（质量分数)为碳0.005 0%~0.30%；硫0.001 5%~0.050%。

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本文件描述了稀土金属及其氧化物中碳、硫含量的测定方法。本文件适用于稀土金属及其氧化物中碳、硫含量的测定。测定范围(质量分数)：碳0.002 0%~1.00%；硫0.002 0%~0.20%。

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本文件描述了稀土铁合金中氧含量的测定方法。本文件适用于稀土铁合金中氧含量的测定。测定范围(质量分数)：0.005 0%~0.60%。

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本文件描述了采用红外线吸收法和燃烧中和滴定法测定锰铁、锰硅合金、氮化锰铁及金属锰中的硫含量的方法。
本文件适用于锰铁、锰硅合金、氮化锰铁及金属锰中硫含量的测定。方法一测定范围（质量分数）：0.003% ~0.120%；方法二测定范围（质量分数）：0.015% ~0.120%。方法二不适用于氮化锰铁中硫含量的测定。

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本文件描述了硬质合金原料所用难熔金属碳化物和硬质合金总碳量的测定方法。
本文件适用于钨、钽、铌、铬、钒、钛等难熔金属的碳化物及复式碳化物，碳化物与黏结金属组成的混合料（无成型剂)以及由这些混合料生产的预烧结或烧结过的硬质合金中的总碳量的测定，测定范围（质量分数)为4.00%～20.00%。

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本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的方法。
本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、Ⅴ族杂质铝（Al)、锑（Sb)、砷（As)、硼（B)、镓（Ga)、铟（In)和 磷（P)含量的测定，各元素的测定范围（以原子数计)为1.0×10 10 cm -3～4.1×10 14 cm -3

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本文件规定了稀土金属（除金属镱外)中氧、氮含量的测定方法。
本文件适用于稀土金属（除金属镱外)中氧、氮含量的测定。测定范围（质量分数)：氧 0.005 0%～0.30%；氮 0.002 0%～0.20%。

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本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定光伏硅材料中氧含量的方法。
本文件适用于生产多晶硅的原料硅粉、工业硅、颗粒多晶硅等光伏硅材料中氧含量的测定，测定范围为氧的质量分数0.0010%～0.40%。其他生产光伏组件的各类晶体硅材料参照使用。

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本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定颗粒硅中氢含量的方法。
本文件适用于流化床法颗粒硅中氢含量的测定，其他硅材料参照使用。
注： 本文件测定氢含量的范围取决于所用氢分析仪的量程，最大测定范围为氢量0.000 08 mg～2.5 mg。以质量分数（%）表示的氢分析仪的测定范围因称取样品量的不同而不同。例如，1 g样品最大测定范围的质量分数为0.000 008%～0.25%；0.15 g样品最大测定范围的质量分数为0.000 06%～1.66%。

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