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本文件提供了在商用碳化硅(SiC)同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例,为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。
本文件主要论述缺陷的无损表征方法,因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

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本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类,并通过明场光学显微术(OM)、光致发光(PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。

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本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例,为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。

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GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。
本文件适用于n型掺杂浓度大于1×1018  cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016 cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试,测试范围为3 μm~200 μm。

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GB/T 30652-2023 外延用三氯氢硅 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件规定了硅外延用三氯氢硅(SiHCl 3)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于以三氯氢硅为原料精制提纯而制得的硅外延用三氯氢硅(以下简称产品)。

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GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。
本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。

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GB/T 14146-2021 外延层载流子浓度的测试 电容-电压法 现行 发布日期 :  2021-05-21 实施日期 :  2021-12-01

本文件规定了电容电压法测试硅外延层载流子浓度的方法,包括汞探针电容电压法和无接触电容电压法。
本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试,测试范围为4×1013 cm-3~8×1016 cm-3,其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行,其中无接触电容电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。

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GB/T 14139-2019 外延 现行 发布日期 :  2019-06-04 实施日期 :  2020-05-01

本标准规定了硅外延片的牌号和分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于在直径不大于150 mm的N型和P型硅抛光片衬底上生长的硅外延片。

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GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范 现行 发布日期 :  2018-12-28 实施日期 :  2019-07-01

本标准规定了氮化镓外延片(以下简称外延片)及氮化镓衬底片(以下简称衬底片)的通用规范,包括产品分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存等。本标准适用于氮化镓外延片与氮化镓衬底片。产品主要用于发光二极管、激光二极管、探测器等光电器件,以及微波与电力电子功率器件。

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GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”)的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。
本标准适用于制备直径50.8 mm~152.4 mm氮化物半导体材料的HVPE设备。

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GB/T 35308-2017 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延 现行 发布日期 :  2017-12-29 实施日期 :  2018-07-01

本标准规定了太阳能电池用锗基ⅢⅤ族化合物外延片(以下简称“外延片”)的术语和定义、分类及牌号、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用锗基ⅢⅤ族化合物外延片。

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GB/T 35310-2017 200 mm硅外延 现行 发布日期 :  2017-12-29 实施日期 :  2018-07-01

本标准规定了直径200 mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书。本标准适用于在N型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片。产品主要用于制作集成电路或半导体器件。

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GB/T 14142-2017 外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 现行 发布日期 :  2017-11-01 实施日期 :  2018-04-01

本标准规定了用化学腐蚀显示,并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验,硅外延层厚度大于2 μm,缺陷密度的测试范围0~10 000 cm-2。

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GB/T 30652-2014 外延用三氯氢硅 被代替 发布日期 :  2014-12-31 实施日期 :  2015-09-01

本标准规定了硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书以及订货单 (或合同)内容。
本标准适用于以粗三氯氢硅为原料经过提纯而制得的硅外延用三氯氢硅(以下简称产品)。

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GB/T 30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法 现行 发布日期 :  2014-12-31 实施日期 :  2015-09-01

本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法。
本标准适用于在氧化物衬底(Al2O3、ZnO等)或半导体衬底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生长的氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可参考本标准。

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