【国家标准】碳化硅晶体材料缺陷图谱

本网站发布时间： 2024-01-31

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标准简介

本文件规定了导电型4H碳化硅(4HSiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。

标准号：
GB/T 43612-2023
标准名称：
碳化硅晶体材料缺陷图谱
英文名称：
Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials
标准状态：
即将实施
发布日期：
2023-12-28
实施日期：
2024-07-01
出版语种：
中文简体

起草人：
丁雄杰刘薇韩景瑞贺东江李素青丁晓民张红李焕婷张红岩杨昆李斌尹浩田高伟路亚娟佘宗静王阳钮应喜晏阳姚康金向军吴殿瑞李国鹏张新峰赵丽丽张胜涛夏秋良李国平
起草单位：
广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院半导体研究所、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、新美光(苏州)半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 碳化硅晶体材料缺陷图谱