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- GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
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适用范围:
本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。
本标准适用于衬底在23 ℃电阻率小于0.02 Ω·cm和外延层在23 ℃电阻率大于0.1 Ω·cm且外延层厚度大于2 μm的n型和p型硅外延层厚度的测量;在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试0.5 μm~2 μm之间的n型和p型外延层厚度。
本标准适用于衬底在23 ℃电阻率小于0.02 Ω·cm和外延层在23 ℃电阻率大于0.1 Ω·cm且外延层厚度大于2 μm的n型和p型硅外延层厚度的测量;在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试0.5 μm~2 μm之间的n型和p型外延层厚度。
读者对象:
设计、生产、使用、销售、测试n型和p型硅外延层的企业和检测机构的技术人员
标准号:
GB/T 14847-2010
标准名称:
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
英文名称:
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance标准状态:
现行-
发布日期:
2011-01-10 -
实施日期:
2011-10-01 出版语种:
中文简体
- 其它标准
ICS29.045
H80
中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准
GB/T14847—2010
代替 GB/T14847—1993
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的
红外反射测量方法
Testmethodforthicknessoflightlydopedsiliconepitaxiallayerson
heavilydopedsiliconsubstratesbyinfraredreflectance
2011-01-10发布 2011-10-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会
发 布
中 华 人 民 共 和 国
国 家 标 准
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的
红外反射测量方法
GB/T14847—2010
*
中 国 标 准 出 版 社 出 版 发 行
北京复兴门外三里河北街16号
邮政编码:100045
网址:www.gb168.cn
服务热线:010-68522006
2011年8月第一版
*
书号:155066·1-42666
版权专有 侵权必究
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