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【国家标准】 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

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适用范围:

本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。
本标准适用于衬底在23 ℃电阻率小于0.02 Ω·cm和外延层在23 ℃电阻率大于0.1 Ω·cm且外延层厚度大于2 μm的n型和p型硅外延层厚度的测量;在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试0.5 μm~2 μm之间的n型和p型外延层厚度。

读者对象:

设计、生产、使用、销售、测试n型和p型硅外延层的企业和检测机构的技术人员

基本信息

  • 标准号:

    GB/T 14847-2010

  • 标准名称:

    重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

  • 英文名称:

    Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    2011-01-10
  • 实施日期:

    2011-10-01
  • 出版语种:

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号:

    29.045
  • 中标分类号:

    H80

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

出版信息

  • 页数:

    12 页
  • 字数:

    17 千字
  • 开本:

    大16 开

其他信息

  • 起草人:

    李慎重、何良恩、许峰、刘培东、何秀坤
  • 起草单位:

    宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
  • 归口单位:

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
  • 提出部门:

  • 发布部门:

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
ICS29.045 H80 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T14847—2010 代替 GB/T14847—1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的 红外反射测量方法 Testmethodforthicknessoflightlydopedsiliconepitaxiallayerson heavilydopedsiliconsubstratesbyinfraredreflectance 2011-01-10发布 2011-10-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的 红外反射测量方法 GB/T14847—2010 * 中 国 标 准 出 版 社 出 版 发 行 北京复兴门外三里河北街16号 邮政编码:100045 网址:www.gb168.cn 服务热线:010-68522006 2011年8月第一版 * 书号:155066·1-42666 版权专有 侵权必究