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【地方标准】 发光二极管芯片点测方法

本网站 发布时间: 2023-11-06
  • DB35/T 1370-2013
  • 现行
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标准简介标准简介

适用范围:

本标准规定了发光二极管芯片(以下简称芯片)的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。

基本信息

  • 标准号:

    DB35/T 1370-2013

  • 标准名称:

    发光二极管芯片点测方法

  • 英文名称:

  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    2013-12-04
  • 实施日期:

    2014-03-01
  • 出版语种:

标准分类号

  • 标准ICS号:

    31.260
  • 中标分类号:

    L45

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

出版信息

  • 页数:

  • 字数:

  • 开本:

其他信息

  • 起草人:

    蔡伟智 梁奋 李国煌 吕艳 时军朋 葛莉荭 黄松金 刘毅清 陈涛 兰国政
  • 起草单位:

    厦门市三安光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、福建省光电行业协会、国家半导体发光器件(LED)应用产品质量监督检验中心
  • 归口单位:

    省信息化局
  • 提出部门:

  • 发布部门:

    福建省质量技术监督局