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【国家标准】 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

本网站 发布时间： 2022-07-01
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适用范围：

本文件规定了CMOS集成电路抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计的流程、设计要求、建模仿真、验证试验要求。本文件适用于基于体硅/SOI CMOS工艺的数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 41033-2021

  • 标准名称：

    CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

  • 英文名称：

    Design requirements of radiation hardening for CMOS IC

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2021-12-31

  • 实施日期：

    2022-07-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    49.035

  • 中标分类号：

    V29

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    20 页

  • 字数：

    37 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    刘智 葛梅 谢成民 王斌 于洪波 岳红菊 姚思远 李海松 耿增建 胡巧玉

  • 起草单位：

    中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所

  • 归口单位：

    全国宇航技术及其应用标准化技术委员会(SAC/TC 425)

  • 提出部门：

    全国宇航技术及其应用标准化技术委员会(SAC/TC 425)

  • 发布部门：

    国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准
  • 国家标准计划

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