【国家标准】酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定　多晶硅表面金属杂质

本网站发布时间： 2024-03-01

GB/T 24582-2009
被代替
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标准简介

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适用范围：

1.1　本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。
1.2　本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。
1.3　本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则，面积很难准确测定，故根据样品重量计算结果，使用的样品重量为50 g～300 g，检测限为0.01 ng/mL。
1.4　酸的浓度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效率。在这个实验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品重量的1%。
1.5　本标准适用于重量为25 g~5 000 g的样品的测定，为了达到仲裁的目的，该实验方法规定样品的重量为约300 g。

基本信息

标准号：
GB/T 24582-2009
标准名称：
酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定　多晶硅表面金属杂质
英文名称：
Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry
标准状态：
被代替
发布日期：
2009-10-30
实施日期：
2010-06-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
29.045
中标分类号：
H80

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
8 页
字数：
9 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
王波过惠芬吴道荣梁洪敖细平
起草单位：
新光硅业科技责任有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
发布部门：
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

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