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【国家标准】 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

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适用范围：

本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。
本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。
硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 4058-2009

  • 标准名称：

    硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

  • 英文名称：

    Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2009-10-30

  • 实施日期：

    2010-06-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H80

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    20 页

  • 字数：

    33 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    何兰英 王炎 张辉坚 刘阳

  • 起草单位：

    峨嵋半导体材料厂

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准
  • 国家标准计划

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