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【国家标准】 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

本网站 发布时间： 2019-11-01
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适用范围：

1.1　本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。
1.2　被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.05 Ω·cm～1 Ω·cm之间。
注： 本检测方法适用于测量0.25 μs到>1 ms范围内的载流子复合寿命。最短可测寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于试样的几何条件以及样片表面的钝化程度。配以适当的钝化工艺，如热氧化或浸入适当的溶液中，对于GB/T 12964《硅单晶抛光片》中规定厚度的抛光片，长到数十毫秒的寿命值也可被测定。
1.3　分析工艺过程、检查沾污源以及对测量数据进行解释以判别杂质中心的形成机理和本质不在本方法范围内。本方法仅在非常有限的条件下，例如通过比对某特定工艺前后载流子复合寿命测试值，可以识别引入沾污的工序，识别某些个别的杂质种类。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 26068-2010

  • 标准名称：

    硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

  • 英文名称：

    Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance

  • 标准状态：

    被代替

  • 发布日期：

    2011-01-10

  • 实施日期：

    2011-10-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H80

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    28 页

  • 字数：

    43 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    曹孜 孙燕 黄黎 高英 石宇 楼春兰 王世进 张静雯

  • 起草单位：

    有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、万向硅峰电子有限公司、广州昆德科技有限公司、洛阳单晶硅有限责任公司

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 提出部门：

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准
  • 国家标准计划

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