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提示：
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
| 介绍 | 国家标准计划《水平法砷化镓单晶及切割片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。拟实施日期：发布后10个月正式实施 |
| 项目进度 |
起草 征求意见 审查 批准 发布 |
| 基础信息 | 计划号：20173767-T-610 |
| 制修订：修订 | |
| 项目周期： 24个月 | |
| 下达日期：2018-01-09 | |
| 标准类型：产品 | |
| 中国标准分类号：29.045 | |
| 国际标准分类号：H83 | |
| 组织起草部门：国家标准化管理委员会 | |
| 技术委员会：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | |
| 起草单位 | 有研光电新材料有限责任公司、有色金属技术经济研究院、广东先导先进材料股份有限公司、北京聚睿众邦科技有限公司、雅波拓（福建）新材料有限公司 |
| 采标情况 | |
