Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer
介绍 | 国家标准计划《太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准化管理委员会。拟实施日期:发布后3个月正式实施 |
项目进度 |
起草 征求意见 审查 批准 发布 |
基础信息 | 计划号:20141879-T-469 |
制修订:制定 | |
项目周期: 36个月 | |
下达日期:2014-12-23 | |
标准类型:方法 | |
中国标准分类号:29.045 | |
国际标准分类号:H80 | |
组织起草部门:国家标准化管理委员会 | |
技术委员会:全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | |
起草单位 | 英利集团有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、泰州中来光电科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、天津英利新能源有限公司 |
采标情况 | |