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提示：
Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
| 介绍 | 国家标准计划《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会 |
| 项目进度 |
起草 征求意见 审查 批准 发布 |
| 基础信息 | 计划号：20081146-T-469 |
| 制修订：修订 | |
| 项目周期： 24个月 | |
| 下达日期：2008-11-03 | |
| 标准类型：方法 | |
| 中国标准分类号：29.045 | |
| 国际标准分类号：H80 | |
| 组织起草部门：国家标准化管理委员会 | |
| 技术委员会：全国半导体设备和材料标准化技术委员会 | |
| 起草单位 | 宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心 |
| 采标情况 | |
