碳化硅晶体材料缺陷图谱-Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials-中国标准在线服务网

介绍	国家标准计划《碳化硅晶体材料缺陷图谱》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。拟实施日期：发布后6个月正式实施
项目进度	起草征求意见审查批准发布
基础信息	计划号：20213238-T-469
	制修订：制定
	项目周期： 24个月
	下达日期：2021-08-24
	标准类型：基础
	中国标准分类号：29.045
	国际标准分类号：H80
	组织起草部门：国家标准化管理委员会
	技术委员会：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位	广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院半导体研究所、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、新美光（苏州）半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司
采标情况
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