半导体器件 应力迁移试验 第1部分:铜应力迁移试验

Semiconductor devices – Stress migration test - Part 1: Copper stress migration test

制定
介绍 国家标准计划《半导体器件应力迁移试验第1部分:铜应力迁移试验》由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口,主管部门为工业和信息化部(电子)。拟实施日期:发布后3个月正式实施
项目进度

起草

征求意见

审查

批准

发布

基础信息 计划号:20213175-T-339
制修订:制定
项目周期: 18个月
下达日期:2021-08-24
标准类型:方法
中国标准分类号:31.080.01
国际标准分类号:L55
组织起草部门:国家标准化管理委员会
技术委员会:全国半导体器件标准化技术委员会
起草单位 工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、河北北芯半导体科技有限公司、华南理工大学、杭州飞仕得科技股份有限公司、广东工业大学、广东气派科技有限公司、中绍宣标准科技集团有限公司
采标情况 本标准等同采用IEC国际标准:IEC 62880-1:2017
采标中文名称:半导体器件 半导体器件晶圆级可靠性 第1部分: 铜应力迁移试验