碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法

Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry

制定
介绍 国家标准计划《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。拟实施日期:发布后6个月正式实施
项目进度

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基础信息 计划号:20202826-T-469
制修订:制定
项目周期: 12个月
下达日期:2020-08-07
标准类型:方法
中国标准分类号:77.040
国际标准分类号:H17
组织起草部门:国家标准化管理委员会
技术委员会:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司
采标情况