【国家标准】半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)

本网站发布时间： 2024-05-16

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标准简介

本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。

标准号：
GB/T 43894.1-2024
标准名称：
半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)
英文名称：
Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric(ZDD)
标准状态：
即将实施
发布日期：
2024-04-25
实施日期：
2024-11-01
出版语种：
中文简体

起草人：
王玥朱晓彤孙燕宁永铎徐新华徐国科李春阳张海英陈海婷丁雄杰郭正江
起草单位：
山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技(集团)股份有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)