- 您的位置:
- 中国标准在线服务网 >>
- 全部标准分类 >>
- 国家标准 >>
- H80 >>
- GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
开通会员免费在线看70000余条国内标准,赠送文本下载次数,单本最低仅合13.3元!还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权!  
查看详情>>
标准号:
GB/T 13389-2014
标准名称:
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
英文名称:
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon标准状态:
现行-
发布日期:
2014-12-31 -
实施日期:
2015-09-01 出版语种:
中文简体
起草人:
孙燕 梁洪 高英 楼春兰 张静 王飞尧 曹孜 何良恩 张海英 张群社起草单位:
有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)提出部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)发布部门:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
- 推荐标准
- 国家标准计划
- GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱
- GB/T 29057-2023 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
- GB/T 16595-2019 晶片通用网格规范
- GB/T 16596-2019 确定晶片坐标系规范
- GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法
- GB/T 8756-2018 锗晶体缺陷图谱
- GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
- GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱
- GB/T 34479-2017 硅片字母数字标志规范
- GB/T 32279-2015 硅片订货单格式输入规范
- GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
- GB/T 30453-2013 硅材料原生缺陷图谱
- GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
- GB/T 30110-2013 空间红外探测器碲镉汞外延材料参数测试方法
- GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法