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本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaNHEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件:a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件;b)GaN集成功率电路;c)以上的晶圆级及封装级产品。
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