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本标准规定了测定化工产品中砷的通用方法。
本标准中的二乙基二硫代氨基甲酸银光度法适用于砷含量在1 μg～20 μg范围内的溶液测定，原子荧光光度法适用于砷含量在0.005 μg～2.5 μg范围内的溶液测定。

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本标准规定了分子吸收光谱法的术语。 本标准适用于分子吸收光谱法。

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本文件规定了俄歇电子能谱仪动能能量标不确定度为3 eV时的校准方法，用于识别表面常规元素。另外，本文件还规定了一种用于确定校准周期的方法。本文件适用于直接模式或微分模式的仪器分辨率小于或等于0.5%，微分模式调制幅度的峰值为 2 eV，配有惰性气体离子枪或其他样品清洁方法，具有4 keV或更高束能电子枪的谱仪。

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本标准规定了硅片工作标准样品表面元素铁和/或镍的化学收集方法（气相分解法或直接酸性液滴分解法）和全反射X射线荧光光谱法（TXRF）测定。

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本标准规定了在俄歇电子能谱和X射线光电子能谱均匀材料定量分析中相对灵敏度因子的实验测量和使用指南。

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本标准给出了使用电子背散射衍射(EBSD)技术进行晶体取向测量的指南，使测量数据具有较高的可靠性和重复性，本标准确立了试样制备、仪器配置、校正以及数据采集的一般原则。
本标准适用于EBSD对块状晶体样品的晶粒取向分析。

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本标准规定了进行电子探针分析时的入射电子束、波谱仪和试样的实验参数测定的一般原则，并规定了束流、束流密度、死时间、波长分辨率、背底、分析面积、分析深度和分析体积的测定过程。
本标准适用于垂直入射电子束对抛光试样的分析，对于其他实验条件，这些实验参数只能作为参考。
本标准不适用于能谱法。

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本标准规定了分析者使用俄歇电子能谱(AES)分析试样后随即应报告信息的最低要求，包括原始记录和分析记录的信息。

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本标准规定了辉光放电发射光谱法测定材料表层薄膜的厚度、质量（单位面积）和化学成分的方法。本标准仅限于辉光放电发射光谱法深度剖析定量化通用规程的描述，并不能直接应用于具有不同厚度和元素的待测个体材料的定量化。注： 任何一个针对测试材料表面分析的标准均需要明确表层厚度和分析元素，并提供实验室间共同实验结果以确认方法的有效性。

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本标准规定了采用辉光放电质谱(GDMS)法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测量范围是本方法的检出限至0.1%（质量分数)，检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正，也可以测量质量分数大于0.1%的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量。

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