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国际标准 （0）
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国外标准 （0）
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本标准规定了应用扫描表面检查系统对抛光片、外延片等镜面晶片表面的局部光散射体进行测试，对局部光散射体与延伸光散射体、散射光与反射光进行区分、识别和测试的方法。针对130 nm～11 nm线宽工艺用硅片，本标准提供了扫描表面检查系统的设置。
本标准适用于使用扫描表面检查系统对硅抛光片和外延片的表面局部光散射体进行检测、计数及分类，也适用于对硅抛光片和外延片表面的划伤、晶体原生凹坑进行检测、计数及分类，对硅抛光片和外延片表面的桔皮、波纹、雾以及外延片的棱锥、乳突等缺陷进行观测和识别。本标准同样适用于锗抛光片、化合物抛光片等镜面晶片表面局部光散射体的测试。
注：本标准中将硅、锗、砷化镓材料的抛光片和外延片及其他材料的镜面抛光片、外延片等统称为晶片。
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本标准测试方法适用于测定铜-超比大于1的铜/铌钛(Cu/Nb-Ti)复合超导体的直流临界电流，也同样适用于测定铌钛芯丝直径大于1 μm、铜-超比大于0．9、铜镍合金(Cu-Ni)-超导体比大于0.2的铜/铜镍/铌钛(Cu/Cu-Ni/Nb-Ti)超导线的直流临界电流。由于铜/铌钛(Cu/Nb-Ti)复合超导体和铜/铜镍/铌钛(Cu/Cu-Ni/Nb-Ti)超导体两者的临界电流测试方法略有不同，本标准的附录C(规范性)将介绍测量铜/铜镍/铌钛(Cu/Cu-Ni/Nb-Ti)超导体时所需特别遵从的规定。 本标准测试方法适用于在标准的测试条件下超导体所处的磁场小于或等于其上临界磁场的0.7倍、临界电流小于1 000 A、n值大于12的超导体。测量时，被测样品应浸泡在已知温度的液氦中。被测导体应为圆形或矩形截面的一体化超导线，其截面积小于2 mm2。被测样品应具有螺旋线圈几何形状。 本标准还给出在日常测试中为本实验方法所允许的偏离以及其他具体限定。 临界电流大于1 000 A或者截面积大于2 mm2的导体也可以使用本方法测量，但测量不确定度会增大，且自场效应更明显(见附录B)。此外，为了简单和保持比较低的测量不确定度，本标准不涉及对于大截面导体可能更适合的特殊样品形状。 本标准给出的测量方法经过适当修改可适用于测定其他类型复合超导线的临界电流。
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