本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。
本文件适用于硅单晶电阻率的测试，其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～8×103 Ω·cm，n型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～1.5×104 Ω·cm；直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率，测试范围为1×10-3 Ω·cm～1×104 Ω·cm，样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。

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本文件规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减测试方法。本文件适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减脉冲光法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品，测试硅单晶的最短寿命值为50 μs，测试锗单晶最短寿命值为10 μs。高频光电导衰减法可测试棒状或块状样品，测试硅单晶和锗单晶的最短寿命值为10 μs。注： 直流光电导衰减方法有两种：直流光电导衰减脉冲光法和直流光电导衰减斩波光法（见附录A）。

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本文件描述了X射线衍射定向和光图定向测定半导体单晶晶向的方法。
本文件适用于半导体单晶晶向的测定。X射线衍射定向法适用于测定硅、锗、砷化镓、碳化硅、氧化镓、氮化镓、锑化铟和磷化铟等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向；光图定向法适用于测定硅、锗等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向。

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本标准规定了用爱泼斯坦方圈测量电工钢带（片）中频交流磁性能的一般原理、比总损耗、磁极化强度峰值、磁场强度有效值、磁场强度峰值和比视在功率的测定方法、测量装置、测量步骤和检测报告。本标准适用于晶粒取向和晶粒无取向电工钢带（片）在频率范围为400 Hz~10 kHz的交流磁性测量，适用于从任何等级的电工钢带（片）上取得的试验试样。测量前对试样退磁，测量在环境温度（23±5）℃进行。注： 本标准中“磁极化强度”的定义参照GB/T 9637，电工钢系列的一些标准采用“磁通密度”的定义。

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本标准规定了金属粉末及其化合物粉末比表面积和粒度测定方法--空气透过法。本标准适用于金属粉末及其化合物粉末比表面积和粒度的测定。本标准不适用于纤维状、片状粉末的测定，但供需双方协商同意时，也可采用本标准。本标准不适用于不同材质的混合粉末及含有粘合剂或润滑粉的粉末比表面积和粒度的测定。

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本标准测试方法适用于测定铜-超比大于1的铜/铌钛(Cu/Nb-Ti)复合超导体的直流临界电流，也同样适用于测定铌钛芯丝直径大于1 μm、铜-超比大于0．9、铜镍合金(Cu-Ni)-超导体比大于0.2的铜/铜镍/铌钛(Cu/Cu-Ni/Nb-Ti)超导线的直流临界电流。由于铜/铌钛(Cu/Nb-Ti)复合超导体和铜/铜镍/铌钛(Cu/Cu-Ni/Nb-Ti)超导体两者的临界电流测试方法略有不同，本标准的附录C(规范性)将介绍测量铜/铜镍/铌钛(Cu/Cu-Ni/Nb-Ti)超导体时所需特别遵从的规定。 本标准测试方法适用于在标准的测试条件下超导体所处的磁场小于或等于其上临界磁场的0.7倍、临界电流小于1 000 A、n值大于12的超导体。测量时，被测样品应浸泡在已知温度的液氦中。被测导体应为圆形或矩形截面的一体化超导线，其截面积小于2 mm2。被测样品应具有螺旋线圈几何形状。 本标准还给出在日常测试中为本实验方法所允许的偏离以及其他具体限定。 临界电流大于1 000 A或者截面积大于2 mm2的导体也可以使用本方法测量，但测量不确定度会增大，且自场效应更明显(见附录B)。此外，为了简单和保持比较低的测量不确定度，本标准不涉及对于大截面导体可能更适合的特殊样品形状。 本标准给出的测量方法经过适当修改可适用于测定其他类型复合超导线的临界电流。

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本标准规定了金相法测定钛合金β转变温度的原理、试样、仪器设备、试验步骤、试验结果的判定、和试验报告。
本标准适用于采用金相法测定α型、α-β型和亚稳定β型钛合金的β转变温度。

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本标准规定了热双金属螺旋形元件热偏转率测量的原理、方法和设备要求。本标准适用于测定热双金属平螺旋形元件和直螺旋形元件的热偏转率，也适用于厚度小于0.3 mm热双金属温曲率的测量。本标准是判定一批热双金属螺旋形元件验收或拒收的质量检验手段。本标准有助于确定在某一偏转量下，螺旋形元件材料的最佳厚度和长度。

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本文件规定了镁合金牺牲阳极试样在饱和硫酸钙和氢氧化镁介质中工作时的电化学性能试验方法。本文件适用于以饱和硫酸钙和氢氧化镁试验电解液模拟埋地阳极填充环境下镁合金牺牲阳极(以下简称埋地阳极)电化学性能的测试。淡水中使用的热水器用镁合金牺牲阳极(以下简称热水器阳极)电化学性能的测试可参照使用。

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本文件规定了冷轧金属薄板和薄带表面粗糙度、峰值数和波纹度的原理、试样、测量要求、测量程序、测量结果数值的修约和测试报告。本文件适用于冷轧金属薄板和薄带表面粗糙度、峰值数和波纹度的测量。也适用于具有表面金属镀层的冷轧金属薄板和薄带。

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本标准规定了无应变、无外加磁场条件下铜(Cu)、铜-镍(Cu-Ni)、铜/铜-镍(Cu/Cu-Ni)基体和铝(Al)基体的铌-钛(Nb-Ti)和铌三锡(Nb3Sn)复合超导体剩余电阻比(RRR)的测试方法。本标准适用于剩余电阻比值低于350、横截面小于3 mm2、具有矩形或圆形横截面的一体化超导体的剩余电阻比的测量。对于Nb3Sn复合超导体，样品经反应热处理。

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本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试方法。本标准适用于硅锭和经过抛光处理的n型或p型硅片(当硅片厚度大于1 mm时，通常称为硅块)载流子复合寿命的测试。在电导率检测系统灵敏度足够的条件下，本标准也可用于测试切割或经过研磨、腐蚀的硅片的载流子复合寿命。通常，被测样品的室温电阻率下限在0.05 Ω·cm~10 Ω·cm之间，由检测系统灵敏度的极限确定。载流子复合寿命的测试范围为大于0.1 μs，可测的最短寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于样品的几何条件及其表面的钝化程度。

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