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T/IAWBS 020-2024 碳化硅外延层深能级缺陷的测试瞬态电容法 现行 发布日期 :  2024-02-27 实施日期 :  2024-03-05

本文件规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱法测量碳化硅(SiC)外延材料中深能级缺陷的方法。本文件适用于测量碳化硅外延材料层中的杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。此方法可得到深能级的激活能、浓度、俘获截面等参数。

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