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GB/T 12273.1-2017 有质量评定的石英晶体元件 第1部分:总规范 现行 发布日期 :  2017-05-31 实施日期 :  2017-12-01

GB/T 12273的本部分规定了采用能力批准程序或鉴定批准程序评定质量的石英晶体元件的试验方法和通用要求。

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GB/T 32988-2016 人造石英光学低通滤波器晶片 现行 发布日期 :  2016-10-13 实施日期 :  2017-09-01

本标准规定了人造石英光学低通滤波器晶片术语和定义、分级、要求、测试方法、检验规则及包装、标识、交货条件。本标准适用于人造石英光学低通滤波器晶片。

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GB/T 15156-2015 压电陶瓷换能元件总规范 现行 发布日期 :  2015-06-02 实施日期 :  2016-02-01

本标准规定了压电陶瓷换能元件(以下简称换能元件)的通用要求、试验方法和检验规则。
本标准适用于各类压电陶瓷换能元件。

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GB/T 22319的本部分规定了在温度范围内石英晶体元件活性跳变的测量方法。

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GB/T 30118-2013 声表面波(SAW)器件用单晶晶片 规范与测量方法 现行 发布日期 :  2013-12-17 实施日期 :  2014-05-15

本标准规定了人造石英、铌酸锂(LN)、钽酸锂(LT)、四硼酸锂(LBO)和硅酸镓镧(LGS)等单晶晶片等。
本标准适用于人造石英、铌酸锂(LN)、钽酸锂(LT)、四硼酸锂(LBO)和硅酸镓镧(LGS)等单晶晶片。这些单晶晶片用作声表面波(SAW)滤波器和谐振器等基片材料。

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GB/T 11297.12-2012 光学晶体消光比的测量方法 现行 发布日期 :  2012-12-31 实施日期 :  2013-06-01

GB/T 11297的本部分规定了采用波长为632.8 nm的光波沿单轴光学晶体光轴方向消光比的测量方法。
本部分适用于采用波长为632.8 nm、1 064 nm、830 nm、514 nm、488 nm、458 nm的光波对单轴和等轴光学晶体的消光比测量。

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GB/T 9532-2012 压电单晶材料型号命名方法 现行 发布日期 :  2012-11-05 实施日期 :  2013-02-15

本标准规定了声表面波和声体波器件用压电单晶材料型号命名方法。
本标准适用于声表面波和声体波器件用压电单晶材料型号命名方法。
本标准不适用于人造石英晶体材料型号命名方法。

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优先额定值见GB/T 12273—1996的2.3。
——工作温度范围;
——电路条件;
——最大激励电平;
——激励电平测量;
——气候类别;
——机械试验严酷度。
按本详细规范批准合格的元件制造厂的资料可从IECQC 001005得到。

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GB/T 12274.1-2012 有质量评定的石英晶体振荡器 第1部分:总规范 现行 发布日期 :  2012-11-05 实施日期 :  2013-02-15

GB/T 12274的本部分规定了采用能力批准程序或鉴定批准程序评定质量的石英晶体振荡器的试验方法和通用性要求。
本部分适用于采用能力批准程序或鉴定批准程序评定质量的石英晶体振荡器。

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GB/T 12859的本部分规定了电子设备中振荡电路用压电陶瓷谐振器的术语和试验方法。
本部分给出了电子元器件质量评定体系及其鉴定批准的分规范和空白详细规范中使用的标准术语、检查程序和试验方法。

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GB/T 12859的本部分规定了自总规范GB/T 12859.1—2012中选取的优先额定值和特性,以及适用的质量评定程序、适用的试验方法和测量方法。
本部分适用于GB/T 12859电子设备的压电陶瓷谐振器,但不适用于无引线谐振器和多振子谐振器或带有其他电子元件的谐振器。

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GB/T 3352-2012 人造石英晶体 规范与使用指南 现行 发布日期 :  2012-11-05 实施日期 :  2013-02-15

本标准规定了频率控制和选择压电元件用人造石英晶体原晶和制材的术语和定义、技术要求、测量方法、检验规则及使用指南。
本标准适用于制造频率控制和选择压电元件用人造石英晶体。

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GB/T 27700.1-2011 有质量评定的声表面波(SAW)滤波器 第1部分:总规范 被代替 发布日期 :  2011-12-30 实施日期 :  2012-05-01

GB/T 27700的本部分规定了用于能力批准程序或鉴定批准程序有质量评定的声表面波滤波器的试验方法和通用性要求。

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GB/T 27700.2-2011 有质量评定的声表面波(SAW)滤波器 第2部分:使用指南 现行 发布日期 :  2011-12-30 实施日期 :  2012-05-01

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