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GB/T 43901-2024 镍铁 砷、锡、锑、铅和铋含量 电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS) 即将实施 发布日期 :  2024-04-25 实施日期 :  2024-11-01

本文件描述了镍铁中砷、锡、锑、铅和铋含量的电感耦合等离子体质谱法分析方法。
本文件适用于镍铁中砷、锡、锑、铅和铋含量的测定。各元素的测定范围见表1。

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本文件描述了用电感耦合等离子体质谱法测定水处理剂中砷、汞、镉、铬、铅、镍、铜含量的方法。
本文件适用于水处理剂中砷、汞、镉、铬、铅、镍、铜含量的测定,各元素含量测定范围为0.001 μg/g~10 μg/g。

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本文件描述了电感耦合等离子体发射光谱法测定玻璃纤维及原料化学元素的方法。
本文件适用于各类玻璃纤维、纤维玻璃及其原料和配合料、各类矿物棉及其原料化学元素的测定,也适用于化学元素组成类似的其他玻璃和矿物原料化学元素的测定。

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本文件描述了使用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)测定生胶、硫化胶中主要金属元素和痕量金属元素含量的方法。
本文件适用于生胶、硫化胶中主要金属元素和痕量金属含量的定量分析。

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本文件描述了锅炉用水和冷却水中痕量铜、铁、钠、钙、镁含量的测定 电感耦合等离子体质谱法。
本文件适用于锅炉用水和冷却水中痕量铜、铁、钠、钙、镁含量的测定。测定范围:铜含量0.1 μg/L~1 000 μg/L、铁含量5 μg/L~1 000 μg/L、钠含量10 μg/L~1 000 μg/L、钙含量10 μg/L~1 000 μg/L、镁含量1 μg/L~1 000 μg/L,超过1 000 μg/L时应稀释后测定。

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GB/T 39560的本部分采用CV-AAS、CV-AFS、ICP-OES和ICP-MS法测定聚合物、金属和电子件中的汞。
本部分规定了电子电气产品中汞(Hg)含量的测定。这些材料可以是聚合物、金属及电子件(如:印刷线路板、荧光灯、汞开关)。含汞电池参照参考文献[1]进行处理。国际实验室方法研究仅对塑料的检测方法进行了评估,而未涉及其他类型的基体。
本部分中的样品是指处理和检测的对象。样品是什么样的、以及如何获得样品,由执行检测的机构确定。为检测电子产品中限用物质的含量,如何从中获得其代表性样品的进一步指南见IEC 62321-2。值得注意的是,样品的选择和/或确定可能影响检测结果的解释。
本部分描述了四种方法的使用,即CV-AAS(冷蒸气原子吸收光谱法)、CV-AFS(冷蒸气原子荧光光谱法)、ICP-OES(电感耦合等离子体发射光谱法)和ICP-MS(电感耦合等离子体质谱法),以及几种制备样品溶液的方法,可以从中选择最合适的分析方法。
用CV-AAS、CV-AFS、ICP-OES和ICP-MS测定目标元素-汞,具有高准确性(不确定度小)和/或高灵敏度(检出限低至μg/kg水平)的特点。本部分描述的测试步骤可以测定4 mg/kg~1000 mg/kg含量范围内的汞,且准确度和精确度高。这些方法也适用于更高含量汞的测定。
采用热分解-金汞齐结合CV-AAS(TD(G)-AAS)的方法无需样品消解,也可用于汞的直接测定。由于样品量少,检出限会高于其他方法。

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GB/T 39560的本部分描述了AAS、AFS、ICP-OES和ICP-MS测定聚合物、金属和电子件中铅、镉和铬的方法。
本部分规定了电子电气产品中镉(Cd)、铅(Pb)和铬(Cr)含量的测定。它涵盖了三种类型的基体:聚合物/聚合物组件、金属及合金和电子件。
本部分中的样品是指处理和检测的对象。样品及其获得方式由实施检测的机构确定。为检测电子产品中限用物质的含量,如何从中获得其代表性样品的进一步指南见IEC 62321-2。样品的选择和/或测定可能影响对检测结果的解释。
本部分规定了电子电气产品中镉(Cd)、铅(Pb)和铬(Cr)含量的测定方法,介绍了四种仪器的检测方法(AAS、AFS、ICP-OES、ICP-MS)以及几种样品化学前处理方法(样品溶液的制备),可以从中选择最合适的方法。
由于聚合物和电子件中的六价铬有时难以测定,本部分描述了除AFS以外的聚合物和电子件中铬的筛选方法。铬的分析能提供材料中是否存在六价铬的信息。然而,元素分析不能选择性地测定六价铬,它测定的是样品中的总铬含量。如果总铬含量超过六价铬的限量,则应进行六价铬的确证检测。
本部分所述的ICP-OES和AAS法在测定含量高于10 mg/kg Pb、Cd和Cr;或者ICP-MS法测定高于0.1 mg/kg的Pb、Cd;或者AFS法测定高于10 mg/kg的Pb,高于1.5 mg/kg的Cd时,可获得最好的准确度和精密度。这些方法也可以测试更高含量的样品。
因为材料稳定性的关系,本部分不适用于含多氟聚合物的样品。如果在分析过程中使用硫酸,则存在Pb损失的风险,从而会得到错误的偏低的分析值。此外,因为可能干扰Cd的还原,硫酸和氢氟酸不适合于原子荧光光谱法测定Cd。
样品的溶解过程存在局限性和风险,例如可能发生目标物或其他元素的沉淀,在这种情况下,残留物应单独检查或用其他方法溶解,然后与测试样品溶液合并。

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GB/T 40114-2021 首饰 贵金属含量的测定 ICP差减法 现行 发布日期 :  2021-05-21 实施日期 :  2021-12-01

本文件规定了通过测定金、铂、钯合金首饰中杂质元素含量来确定贵金属含量的方法。
本文件适用于金含量为725‰~999‰金合金首饰,铂含量为800‰~999‰铂合金首饰,钯含量为800‰~999‰钯合金首饰。
注: 贵金属含量适用的测量范围为精密度试验涵盖的范围,超出该范围可能也适用,但需要实验室对超出范围的测试进行验证。

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GB/T 38130-2019 铂合金首饰 铂含量的测定钇内标ICP光谱法 现行 发布日期 :  2019-10-18 实施日期 :  2020-05-01

本标准规定了以钇为内标采用电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)测定铂合金首饰中铂含量的方法。
本标准适用于铂含量为500‰~990‰的铂合金首饰及其他铂合金制品。

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本标准规定了采用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)测定高含量的贵金属合金首饰中的杂质元素含量来确定金合金首饰中的金含量、铂合金首饰中的铂含量、钯合金首饰中的钯含量的方法。
本标准适用于含量为995.0‰~999.9‰的贵金属合金首饰及贵金属合金。

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GB/T 38161-2019 钯合金首饰 钯含量的测定 钇内标ICP光谱法 现行 发布日期 :  2019-10-18 实施日期 :  2020-05-01

本标准规定了以钇为内标采用ICPOES光谱法测定钯合金首饰中钯含量的方法。
本标准适用于钯含量为500‰~990‰钯合金首饰及钯合金制品,其他钯含量的钯合金可参照使用。

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GB/T 38162-2019 高含量银合金首饰 银含量的测定 ICP差减法 现行 发布日期 :  2019-10-18 实施日期 :  2020-05-01

本标准规定了采用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)测定高含量银合金首饰中的杂质元素含量来确定银含量的方法。
本标准适用于银含量为995.0‰~999.9‰的银合金首饰,银合金制品可参照使用。

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本标准规定了水处理剂中铬、镉、铅、砷含量的测定方法——电感耦合等离子体发射光谱法。
本标准适用于水处理剂中铬含量0.000 25%~0.01%、镉含量0.000 25%~0.01%、铅含量0.000 25%~0.01%、砷含量0.000 25%~0.01%范围的测定。

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本标准规定了耐火材料中次量及微量成分的电感耦合等离子体原子发射光谱(ICPAES)化学分析方法。本标准适用于耐火材料中次量及微量成分的测定,其他相关材料也可采用本标准。本标准分析项目如下:SiO2、Al2O3、Fe2O3、TiO2、CaO、MgO、B2O3、P2O5、MnO、ZrO2、Cr2O3、Y2O3、K2O、Na2O。测定范围(质量分数)见表1。

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GB/T 6730的本部分规定了电感耦合等离子体质谱法(ICP—MS)测定铁矿石中砷、铬、镉、铅和汞的方法。
本部分适用于天然铁矿石、铁精矿、烧结矿及球团矿测定范围如表1所示。

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